Transistor BJT NPN

Formule, limiti e contenuti verificati secondo il Metodo editoriale.

Calcola il punto di lavoro Q per un transistor BJT NPN in configurazione emettitore comune con polarizzazione a partitore di tensione (voltage divider bias). Verifica saturazione, regione attiva e guadagno.

Emettitore comune Partitore R1/R2 Punto Q (Ic, Vce)

Parametri circuito

Vcc (V)

β / hFE

R1 (bias, verso Vcc)

R2 (bias, verso GND)

Rc (collettore)

Re (emettitore, 0 se assente)

Vbe (V) — 0.7 per Si, 0.3 per Ge

Vedi anche

Domande frequenti

Come calcolo la resistenza di base di un BJT?

Rb = (Vcc − Vbe) / Ib. Ib = Ic/hFE. Con Ic=100mA, hFE=100, Vbe=0.7V, Vcc=5V: Ib=1mA, Rb=4.3kΩ.

Cos'è la saturazione di un BJT?

Il transistor è pienamente acceso (come interruttore chiuso). Vce scende a 0.2V circa. Serve Ib > Ic/hFE × 2 per margine.

Come uso un BJT per pilotare un relè?

Collega la bobina tra Vcc e collettore. Rb sulla base per limitare Ib. Aggiungi diodo flyback in parallelo alla bobina.